洁净室中的温湿度控制洁净空间的温湿度主要是根据工艺要求来确定，但在满足工艺要求的条件下，应考虑到人的舒适度感。随着空气洁净度要求的提高，出现了工艺对温湿度的要求也越来越严的趋势。因此这种情况下不仅有流层之间因紊流流动而发生的掺混，而且还有全室范围内的大的回流、旋涡所发生的掺混。具体工艺对温度的要求以后还要列举，但作为总的原则看，由于加工精度越来越精细，所以对温度波动范围的要求越来越小。例如在大规模集成电路生产的光刻曝光工艺中，作为掩膜板材料的玻璃与硅片的热膨胀系数的差要求越来越小。直径100 um的硅片，温度上升1度，就引起了0.24um线性膨胀，所以必须有±0.1度的恒温，同时要求湿度值一般较低，因为人出汗以后，对产品将有污染，特别是怕钠的半导体车间，这种车间不宜超过25度。湿度过高产生的问题更多。相对湿度超过55%时，冷却水管壁上会结露，如果发生在精密装置或电路中，就会引起各种事故。相对湿度在50%时易生锈。此外，湿度太高时将通过空气中的水分子把硅片表面粘着的灰尘化学吸附在表面耐难以清除。相对湿度越高,粘附的难去掉，但当相对湿度低于30%时，又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面，同时大量半导体器件容易发生击穿。对于硅片生产温度范围为35—45%。
国外洁净室的强度要求极高，例如美国关于洁净室的几个标准的要求是．人工光300lx有较好的效果，当工件精细程度更高时500x也是允许的。在此之后，设计人员应协同业主确定洁净厂房各功能区的区划，确定各类生产工序(房间)的空气洁净度等级和各种控制参数——温度、相对湿度、压差、微振动、高纯物质的纯度及杂质含量。对于要红灯照明的地方，如电子行业的光刻车间，其照度一般为(25—501x)，用天然光时可允许更高的照度，因而对工作是有利的，所以今后洁净室的照明既采用人工光也采用天然光可能是有前途的，这也是为了节能而出现的一种动向。
洁净室净化工程设计是各设计技术的综合，尤其是洁净室净化工程的工艺设计、洁净建筑设计、空气净化设计和各种特殊要求的设计技术的密切协同、相耳渗透和合理安排的综合设计。从确保洁净室内相对湿度的精度而言，上述的淋水、高压喷雾、湿膜等水加湿方法其控制的精度不高，故当洁净室内相对湿度精度要求≤±10%时不采用。洁净室净化工程设计应做到顺应工艺(或使用)流程、合理选择各类设备和装置、尽力实现人和物流的顺畅短捷、气流流型选样得当、净化空调系统配置合理、各种特殊要求的技术措施得当，洁净厂房的平面、空间布置合理，实现可靠经济运行的洁净厂房设施。
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